Nexperia NSF030120L3A0 Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 48 A 306 W, 3-Pin NSF030120L3A0Q
- RS Best.-Nr.:
- 219-449
- Herst. Teile-Nr.:
- NSF030120L3A0Q
- Marke:
- Nexperia
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- RS Best.-Nr.:
- 219-449
- Herst. Teile-Nr.:
- NSF030120L3A0Q
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 48A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | NSF030120L3A0 | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 306W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 113nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 48A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie NSF030120L3A0 | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 306W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 113nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der SiC-Leistungs-MOSFET von Nexperia wird in einem kompakten 3-poligen TO-247-3-Kunststoffgehäuse für die Durchgangsbohrungsmontage auf Leiterplatten geliefert. Seine ausgezeichnete RDS(on)-Temperaturstabilität und schnelle Schaltgeschwindigkeit machen ihn ideal für Hochleistungs-Hochspannungs-Industrieanwendungen, einschließlich Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge, Photovoltaik-Wechselrichter und Motorantriebe.
Schnelle Rückgewinnung
Hohe Umschaltgeschwindigkeit
Temperaturunabhängige Abschaltverluste
Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode