Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A 306 W, 3-Pin PSMN1R7-60BS,118 TO-263

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RS Best.-Nr.:
798-2921
Herst. Teile-Nr.:
PSMN1R7-60BS,118
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

306W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

137nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

11 mm

Länge

10.3mm

Höhe

4.5mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH

N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


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