Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 120 A 401 W, 5-Pin PSMN1R5-30BLEJ TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*

3,71 €

(ohne MwSt.)

4,41 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 800 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e)
Pro Gurtabschnitt
1 - 93,71 €
10 - 993,34 €
100 +3,07 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
219-445
Herst. Teile-Nr.:
PSMN1R5-30BLEJ
Marke:
Nexperia
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

PSM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

401W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

228nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia Logic Level ist in einem D2PAK-Gehäuse untergebracht und für den Betrieb bis zu 175 °C qualifiziert. Er wurde für den Einsatz in einer Vielzahl von Industrie-, Kommunikations- und Haushaltsanwendungen entwickelt und bietet eine zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Umgebungen.

Verbesserter vorwärtsgerichteter sicherer Betriebsbereich für überragenden Betrieb im linearen Modus

Sehr niedriger Rdson für niedrige Leitungsverluste

Verwandte Links