ROHM RQ3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V 14 W, 8-Pin HSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 264-578
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3L060BGTB1
- Marke:
- ROHM
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- 264-578
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3L060BGTB1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | HSMT-8 | |
| Serie | RQ3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 38mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 14W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße HSMT-8 | ||
Serie RQ3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 38mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 14W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM N-Kanal 60V 15,5A Leistungs-MOSFET im HSMT8-Gehäuse zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand und ein Hochleistungsdesign aus und eignet sich daher ideal für Schalt-, Motorantriebs- und Gleichstrom- oder Gleichspannungswandleranwendungen.
Niedriger Einschaltwiderstand
Hochleistungskleinformgehäuse HSMT8
Pb-freie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei
100% Rg und UIS getestet