ROHM RQ3 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 12 A 40 W, 8-Pin HSMT-8

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RS Best.-Nr.:
265-249
Herst. Teile-Nr.:
RQ3G120BJFRATCB
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

RQ3

Gehäusegröße

HSMT-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

48mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

40W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Der ROHM-MOSFET für die Automobilindustrie ist eine ideale Lösung für Fahrerassistenzsysteme, Infotainment, Beleuchtung und Karosserieanwendungen. Seine robuste Konstruktion gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Automobilumgebungen. Realisierung einer hohen Montagesicherheit durch originelle Klemmen- und Plattierungsbehandlung.

RoHS-Konformität

AEC Q101 Qualifiziert

Kleines Gehäuse mit hoher Leistung reduziert die Montagefläche

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