ROHM HT8MB5 Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V 13 W, 8-Pin HSMT-8

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RS Best.-Nr.:
687-388
Herst. Teile-Nr.:
HT8MB5TB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

HT8MB5

Gehäusegröße

HSMT-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

44mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

13W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

0.8mm

Breite

3.4 mm

Länge

3.45mm

Automobilstandard

Nein

Der P-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für anspruchsvolle Anwendungen wie Motorantriebe und Schaltnetzteile entwickelt. Dieses Bauteil zeichnet sich durch einen außergewöhnlich niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand aus und ist damit ideal für Power-Management-Lösungen, bei denen die Effizienz an erster Stelle steht. Der HT8MB5 ist in einem kompakten HSMT8-Gehäuse untergebracht, das platzsparende Designs bei gleichzeitig hoher Leistung ermöglicht. Mit seinen beeindruckenden Höchstwerten und seinem robusten Design bietet dieser MOSFET einen zuverlässigen Betrieb unter wechselnden Umgebungsbedingungen und gewährleistet Stabilität und Langlebigkeit im Betrieb.

Niedriger Einschaltwiderstand verbessert die Effizienz und das Wärmemanagement

Kompaktes HSMT8-Gehäuse ermöglicht einen geringeren Platzbedarf in Designs

Ausgelegt für eine Ablass-Quellenspannung von 40 V gewährleistet vielseitige Anwendungen

Die Verlustleistung von 13 W unterstützt Anwendungen mit hoher Leistung

Pb-freie Beschichtung zusammen mit RoHS-Konformität zeigt Umweltfreundlichkeit

Halogenfreie Materialien fördern die Sicherheit in elektronischen Anwendungen

100 % auf Rg und UIS getestet, was Zuverlässigkeit und Leistung garantiert

Geeignet für Schalt- und Motorantriebsanwendungen, was die Benutzerfreundlichkeit erhöht

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