ROHM HT8KB6 Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 40 V Entleerung / 15 A 14 W, 8-Pin HSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 265-123
- Herst. Teile-Nr.:
- HT8KB6TB1
- Marke:
- ROHM
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*
7,05 €
(ohne MwSt.)
8,39 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 100 Einheit(en) mit Versand ab 09. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,705 € | 7,05 € |
| 100 - 240 | 0,67 € | 6,70 € |
| 250 - 490 | 0,62 € | 6,20 € |
| 500 - 990 | 0,571 € | 5,71 € |
| 1000 + | 0,55 € | 5,50 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 265-123
- Herst. Teile-Nr.:
- HT8KB6TB1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | HSMT-8 | |
| Serie | HT8KB6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17.2mΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 14W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße HSMT-8 | ||
Serie HT8KB6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17.2mΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 14W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM-MOSFET ist für anspruchsvolle Anwendungen konzipiert, die eine außergewöhnliche Effizienz und Zuverlässigkeit erfordern. Das robuste Design mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Leistungskapazität macht das Produkt zu einer idealen Wahl für Motorantriebe und andere Power-Management-Anforderungen. Er zeichnet sich durch sein kompaktes HSMT8-Gehäuse aus, das eine einfache Integration in verschiedene elektronische Systeme gewährleistet.
Halogenfreies Design unterstützt die Einhaltung globaler Umweltstandards
Garantierte 100% Rg- und UIS-Tests für erhöhte Zuverlässigkeit
Breiter Sperrschichttemperaturbereich ermöglicht vielseitige Anwendungen
Hohe gepulste Drainstromfähigkeit unterstützt anspruchsvolle Betriebsprofile