ROHM RH Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 80 V / 65 A 59 W, 8-Pin HSMT-8

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RS Best.-Nr.:
265-155
Herst. Teile-Nr.:
RH6N040BHTB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

65A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

HSMT-8

Serie

RH

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.3mΩ

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Maximale Verlustleistung Pd

59W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der ROHM-MOSFET ist ein hochmoderner Halbleiter, der für eine außergewöhnliche Leistung und Zuverlässigkeit bei verschiedenen Anwendungen entwickelt wurde. Diese Komponente zeichnet sich durch ein leistungsstarkes, kleines Gehäuse aus, das den Platzbedarf optimiert, ohne die Funktionalität zu beeinträchtigen. Mit seinem niedrigen Durchlasswiderstand sorgt er für ein effizientes Energiemanagement und eignet sich daher perfekt für den Einsatz in Motorantrieben und DC/DC-Wandlern.

Hohe Leistungskapazität für anspruchsvolle Anwendungen

Getestet auf robuste Gate-Ladungseigenschaften, die die Schaltleistung verbessern

Ideal für verschiedene Anwendungen, einschließlich Motorantriebe

Umfassende Höchstwerte sorgen für Vertrauen in die Betriebsgrenzen

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