ROHM RH6 Typ N-Kanal 1 MOSFET 60 V Erweiterung / 65 A 59 W, 8-Pin HSMT-8

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RS Best.-Nr.:
264-934
Herst. Teile-Nr.:
RH6L040BGTB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

65A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

HSMT-8

Serie

RH6

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

59W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18.8nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der ROHM Nch 60V 65A HSMT8 ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, geeignet für Schaltvorgänge, Motorantriebe, Gleichstrom oder Gleichstromwandler.

Kleines oberflächenmontiertes Gehäuse

Pb-freie Beschichtung

RoHS-Konformität

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