ROHM HT8KF6H Zweifach N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V 14 W, 8-Pin HSMT-8

RS Stock No.:: 687-371
Mfr. Part No.:: HT8KF6HTB1
Brand:: ROHM

ROHM HT8KF6H Zweifach N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V 14 W, 8-Pin HSMT-8

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Mfr. Part No.:: HT8KF6HTB1
Brand:: ROHM

Specifications

Technical Reference

Legislation and Compliance

Product Details

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Select all	Attribute	Value
	Marke	ROHM
	Produkt Typ	Einfache MOSFETs
	Kabelkanaltyp	Zweifach N
	Drain-Source-Spannung Vds max.	150V
	Serie	HT8KF6H
	Gehäusegröße	HSMT-8
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	214mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	6.4nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	±20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	14W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Höhe	0.8mm
	Länge	3.45mm
	Breite	3.4 mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke ROHM
	Produkt Typ Einfache MOSFETs
	Kabelkanaltyp Zweifach N
	Drain-Source-Spannung Vds max. 150V
	Serie HT8KF6H
	Gehäusegröße HSMT-8
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 214mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.4nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 14W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Höhe 0.8mm
	Länge 3.45mm
	Breite 3.4 mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - HT8KF6HTB1

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für ein effizientes Energiemanagement in verschiedenen Anwendungen entwickelt. Dieses Bauteil bietet robuste elektrische Eigenschaften, einschließlich eines maximalen kontinuierlichen Ablassstroms von ±7,0 A, die einen zuverlässigen Betrieb unter hohen Lasten gewährleisten. Die bleifreien und halogenfreien Materialien erfüllen die RoHS-Normen und tragen zu umweltfreundlichen Designs bei. Der thermische Widerstand dieses MOSFET ist optimiert, was eine effektive Wärmeableitung ermöglicht und so die Langlebigkeit und Leistung des Geräts in verschiedenen elektronischen Anwendungen verbessert.

Niedriger Einschaltwiderstand für verbesserte Effizienz

Hohe Leistungskapazität in einem kompakten HSMT8-Formgehäuse

Erfüllt die RoHS-Vorschriften mit Pb-freier Beschichtung

Halogenfreies Design zur Unterstützung umweltfreundlicher Initiativen

Vielseitiger Einsatz in Motorantrieben und Energiemanagementsystemen

Hohe maximale Sperrschichttemperatur von 150 °C

Beeindruckende maximale Verlustleistung von 14 W

Zuverlässige Lawineneigenschaften mit einer maximalen Energie von 0,24 mJ

ROHM HT8KF6H Zweifach N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V 14 W, 8-Pin HSMT-8

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