ROHM HT8KF6H Zweifach N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V 14 W, 8-Pin HSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 687-371
- Herst. Teile-Nr.:
- HT8KF6HTB1
- Marke:
- ROHM
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Zweifach N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | HSMT-8 | |
| Serie | HT8KF6H | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 214mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 14W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.45mm | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Breite | 3.4 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Zweifach N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße HSMT-8 | ||
Serie HT8KF6H | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 214mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 14W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.45mm | ||
Höhe 0.8mm | ||
Breite 3.4 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für ein effizientes Energiemanagement in verschiedenen Anwendungen entwickelt. Dieses Bauteil bietet robuste elektrische Eigenschaften, einschließlich eines maximalen kontinuierlichen Ablassstroms von ±7,0 A, die einen zuverlässigen Betrieb unter hohen Lasten gewährleisten. Die bleifreien und halogenfreien Materialien erfüllen die RoHS-Normen und tragen zu umweltfreundlichen Designs bei. Der thermische Widerstand dieses MOSFET ist optimiert, was eine effektive Wärmeableitung ermöglicht und so die Langlebigkeit und Leistung des Geräts in verschiedenen elektronischen Anwendungen verbessert.
Niedriger Einschaltwiderstand für verbesserte Effizienz
Hohe Leistungskapazität in einem kompakten HSMT8-Formgehäuse
Erfüllt die RoHS-Vorschriften mit Pb-freier Beschichtung
Halogenfreies Design zur Unterstützung umweltfreundlicher Initiativen
Vielseitiger Einsatz in Motorantrieben und Energiemanagementsystemen
Hohe maximale Sperrschichttemperatur von 150 °C
Beeindruckende maximale Verlustleistung von 14 W
Zuverlässige Lawineneigenschaften mit einer maximalen Energie von 0,24 mJ
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