ROHM HP8KF7H Zweifach N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V 26 W, 8-Pin HP8KF7HTB1 HSOP-8

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RS Best.-Nr.:
687-364
Herst. Teile-Nr.:
HP8KF7HTB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Zweifach N

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

HP8KF7H

Gehäusegröße

HSOP-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

62mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Maximale Verlustleistung Pd

26W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.1mm

Breite

6.1 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde entwickelt, um die Leistung in verschiedenen elektronischen Anwendungen effizient zu verwalten. Mit einem niedrigen Einschaltwiderstand von 62 mΩ und einem kompakten HSOP8-Gehäuse gewährleistet dieser MOSFET ein hervorragendes Wärmemanagement und hohe Zuverlässigkeit. Seine Spezifikationen unterstützen einen kontinuierlichen Ablassstrom von ±18,5 A und machen ihn ideal für anspruchsvolle Aufgaben wie Motorantriebe. Mit seiner hervorragenden Energieeffizienz und der Einhaltung der RoHS- und halogenfreien Normen lässt er sich nahtlos in fortschrittliche elektronische Designs integrieren und gewährleistet gleichzeitig Umweltverträglichkeit.

Optimiert für geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand, was die Gesamteffizienz erhöht

Kompaktes HSOP8-Gehäuse ermöglicht platzsparende Designs

Ideal für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Motorantriebe

Erfüllt die RoHS- und halogenfreien Anforderungen für Umweltsicherheit

Hohe Dauer- und Impulsstromwerte gewährleisten Zuverlässigkeit unter Last

Ausgezeichnetes Wärmemanagement mit niedrigen Wärmewiderstandswerten

Entwickelt für Hochleistungs-Schaltanwendungen mit minimaler Verzögerung

Stabiler Betrieb über einen weiten Temperaturbereich von -55 bis +150 °C

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