ROHM HP8 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung 26 W, 8-Pin HSOP-8 HP8KC7TB1

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 5 Stück)*

7,98 €

(ohne MwSt.)

9,495 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 100 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Gurtabschnitt*
5 - 451,596 €7,98 €
50 - 951,516 €7,58 €
100 - 4951,404 €7,02 €
500 - 9951,294 €6,47 €
1000 +1,246 €6,23 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
264-758
Herst. Teile-Nr.:
HP8KC7TB1
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

HSOP-8

Serie

HP8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22.0nC

Maximale Verlustleistung Pd

26W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS, Halogen Free

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der ROHM 60V 24A Dual Nch+Nch ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schaltanwendungen eignet.

Kleines Oberflächenmontagegehäuse (HSOP8)

Pb-freie Bleibeschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei

Verwandte Links