ROHM HP8 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung 20 W, 8-Pin HSOP-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*

7,37 €

(ohne MwSt.)

8,77 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 60 Einheit(en) mit Versand ab 20. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Gurtabschnitt*
10 - 900,737 €7,37 €
100 - 2400,70 €7,00 €
250 - 4900,649 €6,49 €
500 - 9900,596 €5,96 €
1000 +0,575 €5,75 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
264-761
Herst. Teile-Nr.:
HP8MC5TB1
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

HSOP-8

Serie

HP8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

96mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17.3nC

Maximale Verlustleistung Pd

20W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der ROHM 60V 12A Dual Nch+Pch ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schaltanwendungen eignet.

Kleines Oberflächenmontagegehäuse (HSOP8)

Pb-freie Bleibeschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei

Verwandte Links