ROHM RS1 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 43 A 40 W, 8-Pin HSOP-8
- RS Best.-Nr.:
- 265-472
- Herst. Teile-Nr.:
- RS1N110ATTB1
- Marke:
- ROHM
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- ROHM
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 43A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | RS1 | |
| Gehäusegröße | HSOP-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 21.0mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 135nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 43A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie RS1 | ||
Gehäusegröße HSOP-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 21.0mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 135nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von ROHM zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand aus und ist in einem kleinen Gehäuse für hohe Leistungen untergebracht, wodurch er sich ideal für Schaltanwendungen und Motorantriebe eignet. Seine kompakte Größe ermöglicht eine effiziente Leistung bei gleichzeitiger Optimierung des Platzbedarfs in elektronischen Designs.
RoHS-Konformität
Geringer Widerstand
Pb-freie Beschichtung
Halogenfrei
100 Prozent Rg und UIS getestet
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