ROHM RS6G122CH Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V 125 W, 8-Pin HSOP-8
- RS Best.-Nr.:
- 687-439
- Herst. Teile-Nr.:
- RS6G122CHTB1
- Marke:
- ROHM
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- 687-439
- Herst. Teile-Nr.:
- RS6G122CHTB1
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -40V | |
| Gehäusegröße | HSOP-8 | |
| Serie | RS6G122CH | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 52nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 3 mm | |
| Länge | 3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -40V | ||
Gehäusegröße HSOP-8 | ||
Serie RS6G122CH | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 3 mm | ||
Länge 3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von ROHM ist für einen hohen Wirkungsgrad in anspruchsvollen Anwendungen ausgelegt. Mit einer maximalen Betriebsspannung von 40 V und einem kontinuierlichen Ablassstrom von bis zu 225 A ist er ideal für den Einsatz in Motorantrieben und DC/DC-Wandlern. Das robuste HSOP8-Gehäuse gewährleistet ein effektives Wärmemanagement mit einem geringen Wärmewiderstand und fördert eine zuverlässige Leistung auch unter hohen Lastbedingungen. Mit seiner strengen RoHS-Konformität eignet sich das Gerät für umweltbewusste Designs und garantiert gleichbleibende Zuverlässigkeit und Sicherheit in verschiedenen elektronischen Anwendungen.
Niedriger Einschaltwiderstand von 1,20 mΩ, der die Effizienz erhöht
Hochleistungsgehäuse (HSOP8) für effektive Wärmeableitung
Pb-freie Beschichtung erfüllt die RoHS-Normen für Umweltsicherheit
Die halogenfreie Konstruktion gewährleistet die Einhaltung der Sicherheitsvorschriften
100 % Rg und UIS auf Zuverlässigkeit unter rauen Bedingungen geprüft
Entwickelt für Hochleistungsanwendungen mit extremen Stromverhältnissen
Avalanche-zertifiziert für Einzelimpulsfähigkeit bis zu 40 A, was Robustheit gewährleistet
Integrierte Sicherheitsfunktionen für potenzielle Ausfallszenarien
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