ROHM Dual (Nch+Pch) HP8K Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 8.5 A 2 W, 8-Pin HSOP-8
- RS Best.-Nr.:
- 264-877
- Herst. Teile-Nr.:
- HP8ME5TB1
- Marke:
- ROHM
Zwischensumme (10 Stück, auf einem Band mit 10)*
7,19 €
(ohne MwSt.)
8,56 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
- 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,719 € | 7,19 € |
| 100 - 240 | 0,684 € | 6,84 € |
| 250 - 490 | 0,632 € | 6,32 € |
| 500 - 990 | 0,582 € | 5,82 € |
| 1000 + | 0,562 € | 5,62 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 264-877
- Herst. Teile-Nr.:
- HP8ME5TB1
- Marke:
- ROHM
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | HSOP-8 | |
| Serie | HP8K | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 273mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19.7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Transistor-Konfiguration | Dual (Nch+Pch) | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße HSOP-8 | ||
Serie HP8K | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 273mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19.7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Transistor-Konfiguration Dual (Nch+Pch) | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Verwandte Links
- ROHM Dual (Nch+Pch) HP8 Typ P Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 16.5 A 2 W, 8-Pin HSOP-8
- ROHM Nch+Nch HP8K N-Kanal 2 8-Pin HSOP-8
- ROHM Nch+Nch HP8 N-Kanal 2 8-Pin HSOP-8
- ROHM HP8K N-Kanal 2 8-Pin HSOP-8
- ROHM HP8KE5 Zweifach N-Kanal 8-Pin HSOP-8
- ROHM Pch+Pch UT6 Typ P-Kanal 2 8-Pin HUML2020L8
- onsemi Entwicklungstool Kommunikation und Drahtlos für NCH-RSL10-101S51-ACG Bluetooth
- ROHM HP8 Typ P Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 12 A 20 W, 8-Pin HSOP-8
