ROHM Dual (Nch+Pch) HP8K Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung 2 W, 8-Pin HSOP-8 HP8ME5TB1

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RS Best.-Nr.:
264-877
Herst. Teile-Nr.:
HP8ME5TB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

HSOP-8

Serie

HP8K

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

273mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19.7nC

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Transistor-Konfiguration

Dual (Nch+Pch)

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der ROHM-Leistungs-MOSFET verfügt über eine duale N-Kanal-Konfiguration mit einer Nennspannung von 100 V und einer Stromkapazität von 8,5 A. Entwickelt in einem HSOP8-Gehäuse und mit niedrigem On-Widerstand.

Niedriger Einschaltwiderstand

Kleines Oberflächenmontagegehäuse (HSOP8)

Pb-freie Bleibeschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei

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