ROHM Pch+Pch UT6 Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 1 A 2 W, 8-Pin HUML2020L8
- RS Best.-Nr.:
- 264-719
- Herst. Teile-Nr.:
- UT6JE5TCR
- Marke:
- ROHM
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|---|---|---|
| 25 - 75 | 0,257 € | 6,43 € |
| 100 - 225 | 0,244 € | 6,10 € |
| 250 - 475 | 0,226 € | 5,65 € |
| 500 - 975 | 0,208 € | 5,20 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 264-719
- Herst. Teile-Nr.:
- UT6JE5TCR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | UT6 | |
| Gehäusegröße | HUML2020L8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 840mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Transistor-Konfiguration | Pch+Pch | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie UT6 | ||
Gehäusegröße HUML2020L8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 840mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Transistor-Konfiguration Pch+Pch | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM Dual Pch+Pch ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schaltanwendungen eignet. Dieses Produkt enthält zwei -100V MOSFETs in einem kleinen oberflächenmontierbaren Gehäuse (DFN2020-8D).
Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse
Pb-freie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei
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