ROHM RQ3P120BKFRA Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V 40 W, 8-Pin HSMT-8AG

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für ein effizientes Energiemanagement in verschiedenen Anwendungen entwickelt. Dieser MOSFET hält Drain-Source-Spannungen von bis zu 100 V und einem Dauerstrom von ±12 A stand und zeichnet sich sowohl durch seine Leistungsdichte als auch durch seine thermische Beständigkeit aus. Das kompakte HSMT8AG-Gehäuse reduziert den Platzbedarf auf der Leiterplatte um 64 % erheblich und ist damit die ideale Wahl für moderne elektronische Designs, die Zuverlässigkeit und Effizienz erfordern. Mit der AEC-Q101-Qualifikation gewährleistet er einen robusten Betrieb in Automobilanwendungen und eignet sich für ein breites Spektrum von Anwendungsfällen, von ADAS bis zu Beleuchtungslösungen.

Kleines leistungsstarkes Gehäuse optimiert den Platz auf Leiterplatten um 64%