ROHM Einfach RQ3L050GN N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 12 A 14.8 W, 8-Pin HSMT

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RS Best.-Nr.:
133-3297
Herst. Teile-Nr.:
RQ3L050GNTB
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Transistor-Konfiguration

Einfach

Serie

RQ3L050GN

Kabelkanaltyp

N

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Montageart

Oberfläche

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60 V

Channel-Modus

Erweiterung

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

12 A

Maximale Verlustleistung (Pd)

14.8 W

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

HSMT

Durchlassspannung (Vf)

1.2 V

Höhe

850 μm

Länge

3.3 mm

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

86 mΩ

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V, -20 V

Maximale Betriebstemperatur

150 °C

Breite

3.1 mm

N-Channel MOSFET Transistors, ROHM


MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor


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