ROHM RQ3L050GN N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 14,8 W, 8-Pin HSMT

RS Best.-Nr.:: 133-3297
Herst. Teile-Nr.:: RQ3L050GNTB
Marke:: ROHM

ROHM RQ3L050GN N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 14,8 W, 8-Pin HSMT

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RS Best.-Nr.:: 133-3297
Herst. Teile-Nr.:: RQ3L050GNTB
Marke:: ROHM

RQ3L050GN, N-Channel Power MOSFET (60V, 12A)
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	12 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Serie	RQ3L050GN
Gehäusegröße	HSMT
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	86 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	14,8 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	3.1mm
Länge	3.3mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	5,3 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Höhe	0.85mm

ROHM RQ3L050GN N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 14,8 W, 8-Pin HSMT

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N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM

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