ROHM P-Kanal, Oberfläche MOSFET -80 V / 7 A 14 W, 8-Pin HSMT
- RS Best.-Nr.:
- 780-367
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3N025ATTB1
- Marke:
- ROHM
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | P-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -80V | |
| Gehäusegröße | HSMT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 14W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Breite | 3.4mm | |
| Länge | 3.45mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp P-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -80V | ||
Gehäusegröße HSMT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 14W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.8mm | ||
Breite 3.4mm | ||
Länge 3.45mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von ROHM bietet leistungsstarkes P-Kanal-Schalten für Motorantrieb und Leistungsmanagement. Dieses robuste Gerät wurde für den Hochgeschwindigkeitsbetrieb entwickelt und gewährleistet eine effiziente Leistung in anspruchsvollen DC/DC-Wandlern.
Drain-Quellenspannung von -30 V
Kontinuierlicher Ablassstrom von -13 A
Hochgeschwindigkeitsschaltleistung
Kompaktes TSMT6-Gehäuse für Oberflächenmontage
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