ROHM RH6 Typ N-Kanal 1 MOSFET 60 V Erweiterung / 65 A 59 W, 8-Pin HSMT-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme 100 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

79,10 €

(ohne MwSt.)

94,10 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2.870 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
100 - 2400,791 €
250 - 4900,733 €
500 - 9900,674 €
1000 +0,65 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
264-934P
Herst. Teile-Nr.:
RH6L040BGTB1
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

65A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

RH6

Gehäusegröße

HSMT-8

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

59W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18.8nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der ROHM Nch 60V 65A HSMT8 ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, geeignet für Schaltvorgänge, Motorantriebe, Gleichstrom oder Gleichstromwandler.

Kleines oberflächenmontiertes Gehäuse

Pb-freie Beschichtung

RoHS-Konformität

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.