ROHM RQ3L270BKFRA Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 27 A 69 W, 8-Pin HSMT-8AG

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Herst. Teile-Nr.:
RQ3L270BKFRATCB
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

27A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

RQ3L270BKFRA

Gehäusegröße

HSMT-8AG

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

14.6mΩ

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

69W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Der ROHM-MOSFET zeichnet sich bei Hochleistungsanwendungen durch seine fortschrittlichen Eigenschaften aus. Er ist auf Effizienz ausgelegt und arbeitet effektiv bei einer maximalen Drain-Source-Spannung von 60 V, was ihn ideal für den Einsatz im Automobil- und Industriebereich macht. Das kompakte HSMT8AG-Gehäuse ist ein entscheidender Teil des Designs und ermöglicht eine bemerkenswerte Reduzierung der Montagefläche ohne Beeinträchtigung der Zuverlässigkeit.

Robuste thermische Beständigkeit unterstützt die Zuverlässigkeit in Umgebungen mit hohen Temperaturen

Vielseitige Anwendungen im Automobil- und Industriesektor

Fortschrittliche Wärmemanagement-Funktionen verbessern die Langlebigkeit

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