ROHM RH Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 80 V / 65 A 59 W, 8-Pin HSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 265-155P
- Herst. Teile-Nr.:
- RH6N040BHTB1
- Marke:
- ROHM
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 65A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | RH | |
| Gehäusegröße | HSMT-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.3mΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 59W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 65A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie RH | ||
Gehäusegröße HSMT-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.3mΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 59W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM-MOSFET ist ein hochmoderner Halbleiter, der für eine außergewöhnliche Leistung und Zuverlässigkeit bei verschiedenen Anwendungen entwickelt wurde. Diese Komponente zeichnet sich durch ein leistungsstarkes, kleines Gehäuse aus, das den Platzbedarf optimiert, ohne die Funktionalität zu beeinträchtigen. Mit seinem niedrigen Durchlasswiderstand sorgt er für ein effizientes Energiemanagement und eignet sich daher perfekt für den Einsatz in Motorantrieben und DC/DC-Wandlern.
Hohe Leistungskapazität für anspruchsvolle Anwendungen
Getestet auf robuste Gate-Ladungseigenschaften, die die Schaltleistung verbessern
Ideal für verschiedene Anwendungen, einschließlich Motorantriebe
Umfassende Höchstwerte sorgen für Vertrauen in die Betriebsgrenzen
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