ROHM SCT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 17 A 100 W, 7-Pin TO-263-7LA

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265-379P
Herst. Teile-Nr.:
SCT3160KWATL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

TO-263-7LA

Serie

SCT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

208mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

3.2V

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der ROHM-MOSFET ist ein AEC-Q101-qualifizierter SiC-Graben-MOSFET für die Automobilindustrie. Er zeichnet sich durch eine hohe Spannungsfestigkeit, einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit aus und ist damit die ideale Wahl für anspruchsvolle Automobilanwendungen, die eine effiziente und zuverlässige Leistung erfordern.

RoHS-Konformität

Pb-freie Bleibeschichtung

Schnelle Rückgewinnung

Leicht zu parallelisieren

Einfach zu fahren

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