ROHM RQ5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V 1 W, 3-Pin TSMT-3

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RS Best.-Nr.:
265-473P
Herst. Teile-Nr.:
RQ5L045BGTCL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TSMT-3

Serie

RQ5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

32mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.6nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der ROHM Power MOSFET zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand aus, was ihn für Schaltanwendungen, Motorantriebe und DC/DC-Wandler äußerst effizient macht. Sein Design gewährleistet optimale Leistung und Zuverlässigkeit in einer Vielzahl von elektronischen Schaltungen.

RoHS-Konformität

Geringer Widerstand

Pb-freie Beschichtung

Halogenfrei

100 Prozent Rg und UIS getestet

Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse

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