onsemi NTM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 198 A 116 W, 10-Pin TCPAK57
- RS Best.-Nr.:
- 277-047
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMJST1D4N06CLTXG
- Marke:
- onsemi
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| 100 - 495 | 1,414 € | 7,07 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 277-047
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMJST1D4N06CLTXG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 198A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | NTM | |
| Gehäusegröße | TCPAK57 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 10 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.49mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 92.2nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 116W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 7.5 mm | |
| Länge | 5.1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Pb-Free | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 198A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie NTM | ||
Gehäusegröße TCPAK57 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 10 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.49mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 92.2nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 116W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 7.5 mm | ||
Länge 5.1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Pb-Free | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der MOSFET von ON Semiconductor ist ein Leistungs-N-Kanal-Transistor mit einer Nennspannung von 60 V, einem On-Widerstand von 1,49 mΩ und einer Strombelastbarkeit von 198 A. Sein kompaktes TCPAK57-Gehäuse mit einer Größe von 5 x 7 mm gewährleistet eine effiziente thermische Leistung, wodurch er sich ideal für Power-Management-, Motorsteuerungs- und DC-DC-Wandlungsanwendungen eignet.
Optimiertes Top-Cool-Gehäuse zur Wärmeableitung von oben
Geringer Platzbedarf für kompakte Designs
Ultra Low RDS(on) zur Verbesserung der Systemeffizienz
Gerät ist Pb-frei und RoHS-konform