onsemi NXH Typ N-Kanal, Einrastmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 77 A 198 W, 18-Pin NXH015P120M3F1PTG PIM18

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Herst. Teile-Nr.:
NXH015P120M3F1PTG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

77A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

NXH

Gehäusegröße

PIM18

Montageart

Einrastmontage

Pinanzahl

18

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

198W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

211nC

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Das Leistungsmodul von ON Semiconductor enthält eine SiC-MOSFET-Halbbrücke mit 15 mΩ und 1200 V sowie einen Thermistor, die alle im F1-Format untergebracht sind. Er ist für eine hocheffiziente Stromumwandlung ausgelegt und eignet sich daher ideal für Anwendungen wie Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Ladestationen für Elektrofahrzeuge und industrielle Stromversorgungssysteme.

Presspassungsstifte

Bleifrei

Halogenidfrei und RoHS-konform

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