onsemi NXH Typ N-Kanal, Einrastmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 42 A 100 W, 18-Pin PIM18
- RS Best.-Nr.:
- 277-056
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH030P120M3F1PTG
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 42A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | NXH | |
| Gehäusegröße | PIM18 | |
| Montageart | Einrastmontage | |
| Pinanzahl | 18 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 38.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 110nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Durchlassspannung Vf | 6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 42A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie NXH | ||
Gehäusegröße PIM18 | ||
Montageart Einrastmontage | ||
Pinanzahl 18 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 38.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 110nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Durchlassspannung Vf 6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Leistungsmodul von ON Semiconductor enthält eine 30 mΩ, 1200V SiC MOSFET-Halbbrücke und einen Thermistor, die alle in einem F1-Gehäuse untergebracht sind. Dieses Modul ist für eine hocheffiziente Stromumwandlung ausgelegt und eignet sich ideal für Anwendungen wie Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Ladestationen für Elektrofahrzeuge und industrielle Stromversorgungssysteme.
Presspassungsstifte
Bleifrei
Halogenidfrei und RoHS-konform
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