onsemi NXH Typ N-Kanal, Einrastmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 42 A 100 W, 18-Pin NXH030P120M3F1PTG PIM18

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Herst. Teile-Nr.:
NXH030P120M3F1PTG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

42A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

PIM18

Serie

NXH

Montageart

Einrastmontage

Pinanzahl

18

Drain-Source-Widerstand Rds max.

38.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

110nC

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Durchlassspannung Vf

6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Das Leistungsmodul von ON Semiconductor enthält eine 30 mΩ, 1200V SiC MOSFET-Halbbrücke und einen Thermistor, die alle in einem F1-Gehäuse untergebracht sind. Dieses Modul ist für eine hocheffiziente Stromumwandlung ausgelegt und eignet sich ideal für Anwendungen wie Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Ladestationen für Elektrofahrzeuge und industrielle Stromversorgungssysteme.

Presspassungsstifte

Bleifrei

Halogenidfrei und RoHS-konform

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