onsemi NXH Typ N-Kanal, Einrastmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 38 A 34.2 W, 22-Pin NXH030F120M3F1PTG PIM22

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Herst. Teile-Nr.:
NXH030F120M3F1PTG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

38A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

NXH

Gehäusegröße

PIM22

Montageart

Einrastmontage

Pinanzahl

22

Drain-Source-Widerstand Rds max.

38.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Verlustleistung Pd

34.2W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

110nC

Durchlassspannung Vf

6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Das Leistungsmodul von ON Semiconductor enthält eine 30 mΩ, 1200V SiC MOSFET Vollbrücke und einen Thermistor mit einem Al2O3 DBC (Direct Bonded Copper) in einem F1-Gehäuse. Dieses Hochleistungsmodul ist für eine effiziente Stromumwandlung konzipiert und eignet sich ideal für Anwendungen wie Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Ladestationen für Elektrofahrzeuge und industrielle Stromversorgungssysteme.

Bleifrei

Halogenidfrei und RoHS-konform

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