onsemi NXH N-Kanal, Einrastmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 42 A 100 W, 18-Pin PIM18

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RS Best.-Nr.:
277-056P
Herst. Teile-Nr.:
NXH030P120M3F1PTG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

42A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

NXH

Gehäusegröße

PIM18

Montageart

Einrastmontage

Pinanzahl

18

Drain-Source-Widerstand Rds max.

38.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

110nC

Durchlassspannung Vf

6V

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Das Leistungsmodul von ON Semiconductor enthält eine 30 mΩ, 1200V SiC MOSFET-Halbbrücke und einen Thermistor, die alle in einem F1-Gehäuse untergebracht sind. Dieses Modul ist für eine hocheffiziente Stromumwandlung ausgelegt und eignet sich ideal für Anwendungen wie Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Ladestationen für Elektrofahrzeuge und industrielle Stromversorgungssysteme.

Presspassungsstifte

Bleifrei

Halogenidfrei und RoHS-konform

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