Teile-Nr.

Infineon FZ1200 P-Kanal 3, Chassismontage MOSFET 4500 V / 1,2 kA Einschub

RS Best.-Nr.:: 277-198
Herst. Teile-Nr.:: FZ1200R45HL4BPSA1
Marke:: Infineon

Infineon FZ1200 P-Kanal 3, Chassismontage MOSFET 4500 V / 1,2 kA Einschub

Nicht verfügbar

Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.

RS Best.-Nr.:: 277-198
Herst. Teile-Nr.:: FZ1200R45HL4BPSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Channel-Typ	P
	Dauer-Drainstrom max.	1,2 kA
	Drain-Source-Spannung max.	4500 V
	Gehäusegröße	Einschub
	Serie	FZ1200
	Montage-Typ	Chassismontage
	Channel-Modus	Depletion
	Transistor-Werkstoff	Si
	Anzahl der Elemente pro Chip	3

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Channel-Typ P
	Dauer-Drainstrom max. 1,2 kA
	Drain-Source-Spannung max. 4500 V
	Gehäusegröße Einschub
	Serie FZ1200
	Montage-Typ Chassismontage
	Channel-Modus Depletion
	Transistor-Werkstoff Si
	Anzahl der Elemente pro Chip 3

Datasheet - FZ1200R45HL4BPSA1

Ursprungsland:: HU

Das Infineon IGBT Modul ist ein IHV-B 4500 V, 1200 A 190 mm Einzelschalter IGBT Modul mit Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 Diode und isolierter AlSiC Base Plate. Die beste Lösung für Ihre Industrieanwendungen.

Hohe Leistungsdichte
Für kompakte Wechselrichterkonstruktionen
Standardisiertes Gehäuse

Infineon FZ1200 P-Kanal 3, Chassismontage MOSFET 4500 V / 1,2 kA Einschub

Verwandte Links