Infineon FZ1200 Typ P-Kanal, Fahrgestell MOSFET 4500 V Entleerung / 1.2 kA 2400 kW Einschub

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
277-199
Herst. Teile-Nr.:
FZ1200R45HL4S7BPSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.2kA

Drain-Source-Spannung Vds max.

4500V

Gehäusegröße

Einschub

Serie

FZ1200

Montageart

Fahrgestell

Channel-Modus

Entleerung

Durchlassspannung Vf

2.95V

Maximale Verlustleistung Pd

2400kW

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
HU
Das Infineon IGBT Modul ist ein IHV-B 4500 V, 1200 A 190 mm Einzelschalter IGBT Modul mit Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 Diode und isolierter AlSiC Base Plate. Die beste Lösung für Ihre Industrieanwendungen.

Hohe Leistungsdichte

Für kompakte Wechselrichterkonstruktionen

Standardisiertes Gehäuse

Verwandte Links