Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 144 A 136 W, 8-Pin PG-WSON-8

Der OptiMOS-Leistungs-MOSFET von Infineon wurde präzise für Exzellenz im effizienten Elektronikdesign entwickelt. Dieser fortschrittliche Leistungs-MOSFET bietet eine hervorragende Leistung bei 80 V, ideal für die synchrone Gleichrichtung in anspruchsvollen Anwendungen wie Servern und Desktop-Netzteilen. Mit einem doppelseitig gekühlten Gehäuse verringert es den Wärmewiderstand erheblich und verbessert so die Zuverlässigkeit und das Wärmemanagement. Dieses Produkt zeichnet sich durch sein robustes, lawinengesteuertes Design aus, das eine lange Lebensdauer unter Überspannungsbedingungen gewährleistet. Profitieren Sie von einer überlegenen Wärmeleitfähigkeit und einer bleifreien Konstruktion, die die strengen RoHS-Konformitätsstandards erfüllt, was es nicht nur leistungsfähig, sondern auch umweltfreundlich macht.

Doppelseitig gekühltes Gehäuse für thermisches Management