Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 142 A 294 W, 8-Pin IMT65R030M1HXUMA1

Der Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 wurde für die modernen Anforderungen von Hochleistungsanwendungen entwickelt und bietet eine robuste Lösung in einem kompakten Gehäuse. Dieses Halbleitergerät wurde mit modernster Siliziumkarbid-Technologie entwickelt und kombiniert außergewöhnliche Zuverlässigkeit und Effizienz, womit es sich ideal für eine Vielzahl von Anwendungen wie Solar-Wechselrichter, Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge und Unterbrechungsfreie Stromversorgungen eignet. Mit dem Schwerpunkt auf Einfachheit und Kosteneffizienz verbessert es die Systemleistung und gewährleistet gleichzeitig eine hervorragende thermische Stabilität für anspruchsvolle Umgebungen. Dieses Gerät garantiert nicht nur Leistung, sondern auch eine nahtlose Integration in verschiedene Designs und definiert die Möglichkeiten des Energiemanagements neu.

Optimiertes Schalten steigert die betriebliche Effizienz