Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 59 A 158 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 284-730
- Herst. Teile-Nr.:
- IMT65R083M1HXUMA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Serie | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 650 V | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 59 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 158 W | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-8 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 111 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 23 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Serie CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 650 V | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 59 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 158 W | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-8 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 111 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 23 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
The Infineon 650 V CoolSiC MOSFET is engineered with cutting edge silicon carbide technology, offering unmatched efficiency and reliability for demanding applications. This next generation component is designed to optimise performance across various high temperature and challenging operating environments. Its innovative design, refined over 20 years, effortlessly combines high operational reliability with user friendly integration. The increase in power density and reduction in system size makes it an Ideal choice for applications such as solar inverters, electric vehicle charging infrastructure, and energy storage solutions, allowing for seamless implementation in power supply systems.
Optimised switching behaviour enhances efficiency
Robust body diode ensures reliable commutation
Designed for high temperature operations
Simplified integration into existing circuits
Exceptional thermal performance for demanding environments
Superior avalanche capability for system safety
Significant reduction in switching losses
Ideal for high power density applications
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