Infineon 600V CoolMOS N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 68 A, 22-Pin PG-HDSOP-22
- RS Best.-Nr.:
- 284-745
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDQ60R035CFD7XTMA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 284-745
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDQ60R035CFD7XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 68 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-22 | |
| Serie | 600V CoolMOS | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 22 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | SiC | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 68 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-22 | ||
Serie 600V CoolMOS | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 22 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff SiC | ||
Der Infineon-MOSFET verfügt über einen 600-V-CoolMOS-CFD7-Leistungstransistor, der mit seiner innovativen Super-Junction-Technologie die Leistung von Hochspannungs-MOSFETs neu definiert und eine unvergleichliche Effizienz für anspruchsvolle Anwendungen bietet. Dieses hochmoderne Bauteil ist für weiche Schalttopologien ausgelegt und eignet sich daher ideal für phasenverschobene Vollbrücken- und LLC-Resonanzwandler. Durch die Kombination von robuster Leistung und benutzerfreundlicher Anwendung ermöglicht es dieses Produkt Ingenieuren, die Grenzen der Leistungsdichte und Zuverlässigkeit ohne Kompromisse zu erweitern. Die CoolMOS CFD7-Serie stellt sicher, dass Ingenieure mit minimalem Designaufwand maximale Effizienz erreichen, was eine schnelle Markteinführung Ihres nächsten Projekts ermöglicht.
Ultraschnelle Body-Diode steigert die Effizienz
Niedrige Gate-Ladung vereinfacht die Antriebsanforderungen
Außergewöhnliche Rückerstattung minimiert Verluste
Maximiert die Zuverlässigkeit in Resonanztopologien
Optimiertes Wärmemanagement erhöht die Leistungsdichte
Qualifiziert für den industriellen Einsatz gemäß JEDEC
Verbessert die Designflexibilität bei einfacher Implementierung
Niedrige Gate-Ladung vereinfacht die Antriebsanforderungen
Außergewöhnliche Rückerstattung minimiert Verluste
Maximiert die Zuverlässigkeit in Resonanztopologien
Optimiertes Wärmemanagement erhöht die Leistungsdichte
Qualifiziert für den industriellen Einsatz gemäß JEDEC
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