Infineon 600V CoolMOS N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 90 A, 22-Pin PG-HDSOP-22
- RS Best.-Nr.:
- 284-743
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDQ60R025CFD7XTMA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 284-743
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDQ60R025CFD7XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 90 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Serie | 600V CoolMOS | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-22 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 22 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | SiC | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 90 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Serie 600V CoolMOS | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-22 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 22 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff SiC | ||
Der Infineon-MOSFET verfügt über einen CoolMOS CFD7-Leistungstransistor, der neue Maßstäbe im Bereich des Hochspannungs-Power-Managements setzt und sorgfältig für phasenverschobene Vollbrücken- und LLC-Anwendungen entwickelt wurde. Seine innovative Super-Junction-Technologie sorgt für einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad in resonanten Topologien und eignet sich perfekt für Soft-Switching-Umgebungen. Mit seinem robusten Design, das die Leistung einer ultraschnellen Body-Diode mit minimaler Gate-Ladung kombiniert, verbessert dieser Leistungstransistor die Zuverlässigkeit und Leistung des Systems erheblich. Es ist ideal für verschiedene Anwendungen wie Serverinfrastrukturen, Telekommunikationssysteme und das Aufladen von Elektrofahrzeugen und stellt den Gipfel der Effizienz und Robustheit dar. Die CFD7-Serie steht für ein ausgeklügeltes Energiemanagement, das die modernen Anforderungen an Energieeffizienz und Betriebsstabilität nicht nur erfüllt, sondern übertrifft.
Ultra schnelle Body-Diode optimiert das Schalten
Niedrige Gate-Ladung gewährleistet hohe Effizienz
Klassenbeste Rückgewinnung verbessert Leistung
Robuste Konstruktion widersteht di/dt-Belastung
Ideal für Lösungen mit hoher Leistungsdichte
Qualifiziert nach JEDEC für den industriellen Einsatz
Rationalisierte Implementierung vereinfacht Designprozesse
Niedrige Gate-Ladung gewährleistet hohe Effizienz
Klassenbeste Rückgewinnung verbessert Leistung
Robuste Konstruktion widersteht di/dt-Belastung
Ideal für Lösungen mit hoher Leistungsdichte
Qualifiziert nach JEDEC für den industriellen Einsatz
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