Infineon 600V CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 149 A 657 W, 22-Pin IPDQ60R015CFD7XTMA1

Der Infineon-MOSFET verfügt über einen 600-V-CoolMOS-CFD7-Leistungstransistor, der speziell für Hochspannungsanwendungen entwickelt wurde und eine unvergleichliche Effizienz und Zuverlässigkeit bietet. Mit fortschrittlicher Super-Junction-Technologie bietet dieses Produkt ein nahtloses Upgrade gegenüber seinem Vorgänger, der Serie CFD2. Mit einem Design, das auf Soft-Switching-Anwendungen wie Phasenschieber-Vollbrückenwandler und LLC-Schaltungen ausgerichtet ist, gewährleistet er optimale Leistung. Verbesserte Eigenschaften wie die reduzierte Gate-Ladung und die minimale Rückspeiseleistung machen diesen Transistor zu einer idealen Lösung für moderne Energiesysteme. Das kompakte PG HDSOP 22-Gehäuse garantiert eine einfache Integration in vorhandene Designs und maximiert die Leistungsdichte bei gleichzeitiger Minimierung der Installationskomplexität. Der CoolMOS CFD7 erfüllt die JEDEC-Normen für industrielle Anwendungen und gewährleistet damit langfristige Stabilität und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen.

Optimiert für weiche Schalttopologien