Infineon OptiMOS 6 Power Transistor Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 120 V Erweiterung, 8-Pin PG-TDSON-8 FL

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285-045P
Herst. Teile-Nr.:
ISC037N12NM6ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

Drain-Source-Spannung Vds max.

120V

Gehäusegröße

PG-TDSON-8 FL

Serie

OptiMOS 6 Power Transistor

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
DE
Der Infineon MOSFET ist ein hochleistungsfähiger N-Kanal-Leistungstransistor, der sich durch außergewöhnliche Effizienz und Zuverlässigkeit für eine Vielzahl von Anwendungen auszeichnet. Dank seiner innovativen thermischen Eigenschaften eignet sich dieses Bauteil hervorragend für anspruchsvolle Umgebungen mit Temperaturen von bis zu 175°C. Er wurde mit modernster OptiMOS-Technologie gebaut und sorgt für minimale Energieverluste und verbesserte Schaltfunktionen, womit er sich ideal für Hochfrequenzanwendungen eignet. Ob in industriellen Umgebungen oder bei der Synchrongleichrichtung eingesetzt, dieses Gerät entspricht den strengen RoHS-Vorschriften und erfüllt somit moderne Umweltstandards.

Optimiert für hochfrequentes Schalten

Pb-freie Bleibeschichtung für Konformität

MSL 1 klassifiziert für Zuverlässigkeit

Niedrige Rückgewinnungsgebühr verbessert Effizienz

Hohe Lawinenenergie zum Schutz

Hervorragende Gate-Ladung reduziert Antriebsverluste

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