onsemi NCV Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Doppelt 65 V 1.2 W, 8-Pin SOIC-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*

7,94 €

(ohne MwSt.)

9,45 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 29. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Gurtabschnitt*
10 - 900,794 €7,94 €
100 - 2400,754 €7,54 €
250 - 4900,698 €6,98 €
500 - 9900,643 €6,43 €
1000 +0,619 €6,19 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
327-795
Herst. Teile-Nr.:
NCV8406DD1CR2G
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

Drain-Source-Spannung Vds max.

65V

Serie

NCV

Gehäusegröße

SOIC-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

210mΩ

Channel-Modus

Doppelt

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

1.2W

Gate-Source-spannung max Vgs

14 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.75mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

RoHS, Pb-Free

Breite

4 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
PH
Der Dual Protected Low-Side Smart Discrete-Baustein von ON Semiconductor bietet umfassende Schutzfunktionen, darunter Überstrom, Übertemperatur, ESD und integriertes Drain-to-Gate-Clamping für Überspannungsschutz. Er ist für zuverlässige Leistung in rauen Automobilumgebungen ausgelegt.

Kurzschlussschutz

Thermische Abschaltung mit automatischem Neustart

Verwandte Links