STMicroelectronics STL Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 40 V / 203 A 127 W, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 330-245
- Herst. Teile-Nr.:
- STL220N4F8
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
1,30 €
(ohne MwSt.)
1,55 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 5.850 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,30 € |
| 10 - 99 | 1,18 € |
| 100 - 499 | 1,07 € |
| 500 - 999 | 1,00 € |
| 1000 + | 0,90 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 330-245
- Herst. Teile-Nr.:
- STL220N4F8
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 203A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | STL | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 127W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 6mm | |
| Breite | 4.9 mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 203A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie STL | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 127W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 6mm | ||
Breite 4.9 mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist ein 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus, der in Strip-FET-F8-Technologie entwickelt wurde und eine verbesserte Trench-Gate-Struktur aufweist. Sie gewährleistet eine hochmoderne Leistungszahl für einen sehr niedrigen Durchlasswiderstand und reduziert gleichzeitig die internen Kapazitäten und die Gate-Ladung für ein schnelleres und effizienteres Schalten.
Güteklasse MSL1
175°C maximale Sperrschichttemperatur
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Niedrige Gate-Ladung Qg
Verwandte Links
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal 8-Pin STL305N4F8AG PowerFLAT
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal 8-Pin STL320N4F8 PowerFLAT
- STMicroelectronics STL 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STL 8-Pin STL100N4LF8 PowerFLAT
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal 8-Pin STL300N4F8 PowerFLAT
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal 8-Pin STL300N4LF8 PowerFLAT
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal 8-Pin STL325N4F8AG PowerFLAT
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal 8-Pin STL305N4LF8AG PowerFLAT
