STMicroelectronics STL Typ N-Kanal, Oberfläche STripFET F8 Leistungs-MOSFET 40 V / 154 A 111 W, 8-Pin PowerFLAT

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RS Best.-Nr.:
330-570
Herst. Teile-Nr.:
STL165N4F8AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

STripFET F8 Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

154A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PowerFLAT

Serie

STL

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.6mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28nC

Maximale Verlustleistung Pd

111W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.4mm

Höhe

1mm

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus von STMicroelectronics wurde in STripFET F8-Technologie entwickelt und verfügt über eine verbesserte Trench-Gate-Struktur. Er bietet eine hochmoderne Leistungskennzahl mit sehr geringem Durchlasswiderstand, reduzierten internen Kapazitäten und Gate-Ladung, was ein schnelleres und effizienteres Schalten ermöglicht.

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Niedrige Gate-Ladung Qg

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