STMicroelectronics STL, Oberfläche MOSFET 40 V / 103 A 52 W, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 365-175
- Herst. Teile-Nr.:
- STL100N4LF8
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 103A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | STL | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.85mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 52W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 800μm | |
| Länge | 3.3mm | |
| Breite | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 103A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie STL | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.85mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 52W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 800μm | ||
Länge 3.3mm | ||
Breite 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der STMicroelectronics Power MOSFET ist ein fortschrittlicher STripFET F8, der dank niedriger Bauelementekapazitäten, die die dynamischen Parameter und Schaltverluste minimieren, höhere Schaltfrequenzen als bisherige Technologien erreicht. Dies ermöglicht es den Entwicklern, kleinere kapazitive und magnetische Komponenten in kompakteren und kostengünstigeren Lösungen zu verwenden und gleichzeitig die Leistungsdichte der endgültigen Anwendung zu erhöhen.
Optimierte Gate-Ladung für schnellere Kommutierungsgeschwindigkeiten
Höhere Immunität gegen unerwünschtes Einschalten
Niedrigerer RDS(on) für höhere Systemeffizienz
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