STMicroelectronics STL, Oberfläche MOSFET 40 V / 103 A 52 W, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 365-173
- Herst. Teile-Nr.:
- STL100N4LF8
- Marke:
- STMicroelectronics
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- Herst. Teile-Nr.:
- STL100N4LF8
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 103A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | STL | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.85mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 52W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Länge | 3.3mm | |
| Breite | 3.3 mm | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 103A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie STL | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.85mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 52W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Länge 3.3mm | ||
Breite 3.3 mm | ||
Höhe 0.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der STMicroelectronics Power MOSFET ist ein fortschrittlicher STripFET F8, der dank niedriger Bauelementekapazitäten, die die dynamischen Parameter und Schaltverluste minimieren, höhere Schaltfrequenzen als bisherige Technologien erreicht. Dies ermöglicht es den Entwicklern, kleinere kapazitive und magnetische Komponenten in kompakteren und kostengünstigeren Lösungen zu verwenden und gleichzeitig die Leistungsdichte der endgültigen Anwendung zu erhöhen.
Optimierte Gate-Ladung für schnellere Kommutierungsgeschwindigkeiten
Höhere Immunität gegen unerwünschtes Einschalten
Niedrigerer RDS(on) für höhere Systemeffizienz
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