STMicroelectronics STF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 800 V / 5 A 21 W, 3-Pin TO-220FP

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RS Best.-Nr.:
330-451
Herst. Teile-Nr.:
STF80N1K1K6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-220FP

Serie

STF

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.1Ω

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

21W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.4mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.3mm

Breite

4.6 mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der ultimativen MDmesh K6-Technologie entwickelt, die auf der 20-jährigen Erfahrung von STMicroelectronics mit der Super-Junction-Technologie basiert. Das Ergebnis ist der beste Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Bereich und Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.

Extrem niedrige Gate-Ladung

Zener-geschützt

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