STMicroelectronics STF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 80 V / 6 A 21.5 W, 3-Pin STF80N900K6 TO-220FP

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RS Best.-Nr.:
330-464
Herst. Teile-Nr.:
STF80N900K6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

STF

Gehäusegröße

TO-220FP

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

900mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7nC

Maximale Verlustleistung Pd

21.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.6mm

Breite

10.4 mm

Länge

30.6mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN
Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der ultimativen MDmesh K6-Technologie entwickelt, die auf der 20-jährigen Erfahrung von STMicroelectronics mit der Super-Junction-Technologie basiert. Das Ergebnis ist der beste Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Bereich und Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.

Extrem niedrige Gate-Ladung

Zener-geschützt

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