onsemi EliteSiC N-Kanal MOSFET N 650 V / 55 A 227 W, 8-Pin HPSOF-8L

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333-416P
Herst. Teile-Nr.:
NTBL032N065M3S
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

HPSOF-8L

Serie

EliteSiC

Pinanzahl

8

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Maximale Verlustleistung Pd

227W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free

Breite

10.38mm

Länge

9.9mm

Höhe

2.3mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der SiC-MOSFET von ON Semiconductor wurde für effizientes Leistungsschalten entwickelt und bietet geringe Leitungsverluste und eine verbesserte thermische Leistung. Seine kompakte Struktur gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb in Anwendungen mit hoher Leistung bei gleichzeitig geringem Platzbedarf. Dieser Baustein ist auf Energieeffizienz optimiert und reduziert die Gesamtverlustleistung des Systems.

H PSOF8L-Paket

RoHS-Konformität

Bleifrei

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