onsemi EliteSiC N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 650 V / 55 A 227 W, 8-Pin HPSOF-8L

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333-416P
Herst. Teile-Nr.:
NTBL032N065M3S
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

EliteSiC

Gehäusegröße

HPSOF-8L

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

227W

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.3mm

Länge

9.9mm

Breite

10.38mm

Normen/Zulassungen

RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der SiC-MOSFET von ON Semiconductor wurde für effizientes Leistungsschalten entwickelt und bietet geringe Leitungsverluste und eine verbesserte thermische Leistung. Seine kompakte Struktur gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb in Anwendungen mit hoher Leistung bei gleichzeitig geringem Platzbedarf. Dieser Baustein ist auf Energieeffizienz optimiert und reduziert die Gesamtverlustleistung des Systems.

H PSOF8L-Paket

RoHS-Konformität

Bleifrei

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