Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 789 A 278 W, 8-Pin PG-WHSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 348-884
- Herst. Teile-Nr.:
- IQDH29NE2LM5SCATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
8,42 €
(ohne MwSt.)
10,02 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,21 € | 8,42 € |
| 20 - 198 | 3,79 € | 7,58 € |
| 200 - 998 | 3,49 € | 6,98 € |
| 1000 - 1998 | 3,24 € | 6,48 € |
| 2000 + | 2,905 € | 5,81 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 348-884
- Herst. Teile-Nr.:
- IQDH29NE2LM5SCATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 789A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | PG-WHSON-8 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.29mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 278W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 789A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße PG-WHSON-8 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.29mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 278W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- AT
Der Infineon Power-MOSFET hat den branchenweit niedrigsten RDS(on) von 0,29 mOhm, kombiniert mit einer hervorragenden Wärmeleistung für einfaches Verlustleistungsmanagement.
Minimierte Leitungsverluste
Schnelles Umschalten
Reduziertes Überschwingen der Spannung
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 9-Pin PG-TTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin PG-WHSON-8
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin PG-WHSON-8
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin PG-WHSON-8
- Infineon OptiMOS N-Kanal 8-Pin PG-WHSON-8
- Infineon OptiMOS 6 N-Kanal 8-Pin PG-WHSON-8
- Infineon OptiMOS 6 N-Kanal 8-Pin PG-WHSON-8
- Infineon OptiMOS 5 N-Kanal 8-Pin PG-WHSON-8