Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 750 V / 98 A 384 W, 22-Pin AIMDQ75R016M1HXUMA1 PG-HDSOP-22

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

27,15 €

(ohne MwSt.)

32,31 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 750 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 927,15 €
10 - 9924,43 €
100 +22,55 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
348-929
Herst. Teile-Nr.:
AIMDQ75R016M1HXUMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

98A

Drain-Source-Spannung Vds max.

750V

Gehäusegröße

PG-HDSOP-22

Serie

CoolSiC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

22

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

384W

Gate-Source-spannung max Vgs

23 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MY
Der Infineon 750 V CoolSiC MOSFET basiert auf der soliden Siliziumkarbid-Technologie, die Infineon in mehr als 20 Jahren entwickelt hat. Der 750V CoolSiC MOSFET nutzt die Eigenschaften des Wide BandgapSiC-Materials und bietet eine einzigartige Kombination aus Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit. Er eignet sich für hohe Temperaturen und raue Betriebsbedingungen und ermöglicht eine vereinfachte und kosteneffiziente Bereitstellung von Systemen mit höchster Effizienz.

Proprietäre Die-Attach-Technologie von Infineon

Treiberquellen-Pin verfügbar

Erhöhte Robustheit und Zuverlässigkeit für Busspannungen über 500 V

Hervorragende Effizienz bei harten Schaltvorgängen

Höhere Schaltfrequenz in weich schaltenden Topologien

Robustheit gegen parasitäres Einschalten bei unipolarer Gate-Ansteuerung

Klassenbeste Wärmeableitung

Geringere Schaltverluste durch verbesserte Gate-Steuerung

Verwandte Links