Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 750 V / 81 A 326 W, 22-Pin IMDQ75R020M1HXUMA1 PG-HDSOP-22
- RS Best.-Nr.:
- 349-332
- Herst. Teile-Nr.:
- IMDQ75R020M1HXUMA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 81A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 750V | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-22 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 22 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 27mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 67nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 326W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 81A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 750V | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-22 | ||
Serie CoolSiC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 22 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 27mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 67nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 326W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon 750 V CoolSiC MOSFET G1 basiert auf Infineons massiver Siliziumkarbid-Technologie, die in mehr als 20 Jahren entwickelt wurde. Durch die Nutzung der Eigenschaften von SiC-Materialien mit breiter Bandlücke bietet der 750 V CoolSiC MOSFET eine einzigartige Kombination aus Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit. Dieser MOSFET ist so konzipiert, dass er hohen Temperaturen und rauen Betriebsbedingungen standhält und somit ideal für anspruchsvolle Anwendungen ist. Er ermöglicht den vereinfachten und kostengünstigen Einsatz von Systemen mit hohem Wirkungsgrad, die den wachsenden Anforderungen der Leistungselektronik in schwierigen Umgebungen gerecht werden.
Proprietäre Die-Attach-Technologie von Infineon
Modernes Kühlpaket für die Oberseite
Treiberquellen-Pin verfügbar
Verbesserte Robustheit, um Busspannungen von über 500 V standzuhalten
Hervorragende Effizienz bei harten Schaltvorgängen
Höhere Schaltfrequenz in weich schaltenden Topologien
Robustheit gegen parasitäres Einschalten bei unipolarer Gate-Ansteuerung
Klassenbeste Wärmeableitung
Geringere Schaltverluste durch verbesserte Gate-Steuerung
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